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IRF7103Q中文资料

IRF7103Q图片

IRF7103Q外观图

  • 大小：169.02KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET(Vdss=50V)
  • 标准包装：95
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：255pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.4W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF7103Q

IRF7103Q供应商

更新时间:2022-12-31 15:34:24
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